3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆

　　核心词：电缆 MYPT 移动 电缆 
　　1、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:人们经常接触到的IGBT模块主要有以下厂商
　　人们平常接触到的IGBT模块,主要有以下几个厂家:欧美的有IR,EUPEC,DYNEX,ABB,SEMIKRON,APT等;日本的有FUJI,三菱,东芝,日立,INTER等。
　　2、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:主要有英飞凌
　　但从IGBT硅片生产上看,主要有以下几个公司:Infineon,ABB,APT,FUJI,三菱等。IGBT模块的特性主要是由IGBT硅片决定的。如图24所示,当前众多的电力电子电路可由MOSFET或IGBT来实现。

从上世纪80年代开始,它们先后出现于市场。由于发展迅速,它们的应用领域不断深化。数年前,GTR还被广泛地应用着,但今天,我们只能在少数个别情况下才能发现它们的踪影,其位置已几乎完全被IGBT所取代。在当今的市场上,尽管各种有竞争性的功率器件都在不停地发展,但是IGBT模块却不断胜出,它的功率范围也在不断延伸。目前生产的IGBT模块已具有了6.5kV,4.5kV,3.3kV和2.5kV的正向阻断电压,以此为基础,兆瓦级的,电压至6kV的变流器(采用串联IGBT的多级式电路)已经被实现。而传统的SCR,GTO器件的应用范围则越来越小。
　　3、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:第一代IGBT芯片采用平面栅
　　第一代IGBT芯片是采用平面栅,PT型IGBT是在厚度约为300~500μm的硅衬底上外延生长有源层,在外延层上制作IGBT。PT-IGBT具有类似GTR特性,在向1200V以上高电压方向发展时,遇到了高阻,厚外延难度大,成本高,可靠性较低的障碍。因此,PT-IGBT适合生产低压器件,600V系列IGBT有优势。目前,PT型IGBT模块大部分半导体公司已不生产,而只生产TO-220,TO-247或SOT-227等封装的IGBT单管,且一般功率较小,应用在小功率场合,比如高频感应加热炉(电磁炉),高频开关电源等领域。◇正温度系数饱和压降,具有类似MOSFET特性,容易并联。
　　4、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:NPT-IGBT工艺正朝着多个方向发展
　　随着技术手段的不断提高,NPT—IGBT工艺正向多个方向发展,目前已派生出多个产品类别,以适应不同的电路场合需求。例如:BSMl50GBl20DN2,1200V／150A,Uce=2.5V,它属于标准系列,最佳工作频率为15~20kHz,几乎在所有的应用领域都可以使用。通过对DN2的工艺改进,推出了另一款低导通损耗型IGBTDLC系列。它的特点是最佳工作频率较低,比如BSMl50GBl20DLC,1200V／150A,但饱和压降较低Uce=2.1V,适应于变频器等低频场合下使用。这样在低频条件下,IGBT可以获得最小的导通损耗及总损耗。
　　5、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:介绍了ks4系列高频系列产品
　　为了适应电焊机,感应加热炉等高频应用环境,推出了高频系列KS4系列。
　　6、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:但其高频开关损耗和总损耗均低于DN2系列
　　比如FFl50R12KS4,1200V／150A,最佳工作频率15~30kHz,它的最大优点是频率高,在高频下开关损耗小,尽管它的导通压降偏高,但在高频下,它的开关损耗及总损耗都比DN2系列要低。随着IGBT的大量应用,其基本性能都能得到满足的情况下,IGBT的损耗就成了一个有待解决的问题。各种电路都希望有一个较小的损耗,一方面可以提高整机效率,另一方面又可以减少散热器,通风功率,进而可以减少体积。在这种情况下,沟道式IGBT出现了。这种技术目前大多数厂家已采用。在沟道式结构中,通过对平面栅工艺进行改进,使之形成垂直于硅片表面的反型沟道,这样在IGBT通态压降中通过剔除JEET这部分串联电阻的贡献,通态压降可以大大降低。例如:FF200R12KE3,1200V／200A,Uce=1.7V,这是这个系列最大的优点,同时,它又具有导通饱和压降的正温度系数的特点。此系列在减少损耗方面又进行了一次革命。在Trench工艺基本条件下,通过局部改善工艺条件,得到了两类IGBT系列,一个是KE3系列,一个是KT3系列。此系列最佳应用频率为l~10kHz,例如:FF200R12KE3,1200V／200A,Uce=1.7V,适用于低频电路中,由于比DLC系列优势明显,目前已经大范围替换DLC系列。例如:FF200R12KT3,1200V／200A,它的最佳工作频率为8～15kHz,由于它既保留了低饱和压降这个特点,又将最佳工作频率提高到了15kHz,因此此系列的应用范围就更加广阔了。在8~15kHz频率下,它的开关损耗要比KE3系列减少25％左右。特别需要说明的是,对于600V的KE3系列,开关频率可到20kHZ以上。
　　7、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:Spt-igbt采用软贯通工艺
　　SPT—IGBT是采用软穿通式工艺,目前投入应用的只有1200V这一个等级。它的最大优点是既有较低的导通压降,又能满足高频化的要求,矿用橡套电缆最高工作频率可以达到20~25kHz。例如SKM200GBl28D,1200V／220A,Uce=1.9V。智能化功率模块是先进的混合集成功率器件,由高速,低耗的IGBT芯片和优化的门极驱动及保护电路构成。由于采用了能连续监测功率器件电流的有电流传感器功能的IGBT芯片,从而实现高效的过流保护和短路保护,由于IPM集成了过热和欠压锁定保护电路,系统的可靠性得到进一步提高。单管封装各公司基本统一,比如:TO-220;TO-247;T-MAX;TO-264;264-MAX等。例如APT75GPl20B2:1200V／91A,40kHz无反并联FRD,T-MAX。如图25所示。例如:APT75GP120JDQ3:1200V/57A,40kHz有反并联FRD,SOT-227。如图26所示。普通IGBT模块,各个公司生产量最大,而且目前适用面最广。各个公司命名各不相同,但基本结构相似,底板为铜板,上面连线方式为用螺栓固定。例如SKM300GBl28D。如图27所示。此类型IGBT模块高度为17mm,适用于中小型变频器(模块统一高度),底板为铜板,上面连线方式为用焊针方式固定。这种封装还有4单元,7单元,附加NTC元件以及带三相整流桥,或单相整流桥的各种电路形式。例如:FSl00R12KT3。对于小功率IGBT模块,用户往往有成本的压力。因此,各大电力半导体商都在开发低成本系列IGBT模块。在陶瓷基板上覆铜,直接安装在散热器上,这样成本较低,比相应的铜基板模块低20％～30％。由于陶瓷基板易碎,因此采用弹性卡子固定在模块上,然后将卡子通过螺钉固定在散热器上,以保持模块到散热器的热阻恒定,又不至于损伤陶瓷基板。例如:SK30GHl2330A/1200V4单元。使用时,上面叠加一块PCB板,通过端子压接以引出信号线或主电流线,最上面再加盖一块盖板。该型号为Skiip39ANBl6Vl:157A／1200V三相桥斩波。IHMIHV是指IGBT高功率模块,大多采用ALSiC基板和AIN陶瓷衬底。由于碳化硅铝基板和硅片,氮化铝陶瓷衬底的热膨胀系数比较接近,因此耐热循环能力比普通铜基板高,因而可靠性高。
　　8、3*50+3*16/3电缆MYPT矿用移动屏蔽电缆:在这些领域得到了广泛的应用
　　它适合要求可靠性较高的应用场合,如机车牵引,运输领域,大功率或中高压变频传动,在这些领域,都已经得到广泛应用。
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